元器件采购网 > U-285页 > FET - 阵列US6J11TR

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US6J11TR

6-TSSOP,SC-88,SOT-363 Rohm Semiconductor
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US6J11TR参数
产品类别:分离式半导体产品-FET - 阵列
说明:MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6
包装数量:3000
包装形式:带卷 (TR)
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FET 型:2 个 P 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:1.3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:260 毫欧 @ 1.3A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:2.4nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:290pF @ 6V
功率 - 最大:700mW
安装类型:表面贴装

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