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US6J11TR |
6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | Rohm Semiconductor | 询价QQ: |
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US6J11TR参数 产品类别:分离式半导体产品-FET - 阵列 说明:MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6 包装数量:3000 包装形式:带卷 (TR) PDF资料下载: FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):12V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:1.3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:260 毫欧 @ 1.3A,4.5V Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 1mA 闸电荷(Qg) @ Vgs:2.4nC @ 4.5V 输入电容 (Ciss) @ Vds:290pF @ 6V 功率 - 最大:700mW 安装类型:表面贴装 |
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热门型号: 矩形- 接头,公引15-31-1066 音频148T 背板 - 专用0459841271 矩形- 接头,公引5102321-8 矩形 - 自由悬挂1-353293-2 压接器,施用器,压1-762637-0 背板 - 专用1-5175387-1 同轴,RF1-1337452-0 矩形 - 自由悬挂1-353293-1 矩形 - 配件174399-2 |